電子デバイス研究会
〔委 員 長〕石原 宏（東工大)
〔幹 事〕高橋琢二（東 大），和田恭雄（日 立），益 一哉（東工大)
日 時 1月24日 (木) 13：00〜18：00
1月25日 (金) 8：30〜15：00
場 所 長崎大学工学部大会議室（長崎市文教町1-14，JR長崎駅からバス又は路面電車で約20分，Tel&Fax
095-847-6437: 長崎大学 藤山研究室）)
共 催 電子情報通信学会 電子ディスプレイ研究委員会，映像情報メディア学会 情報ディスプレイ研究委員会，照明学会 光関連材料・デバイス研究専門部会，SID日本支部
議 題 テーマ「発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会」
講演方式 招待講演：口頭発表30分
一般講演：口頭発表8分付きポスター講演
1月24日 (木) 13：00〜16：40
EDD-02-1 テーマ招待講演「撮像における動画の高画質化技術について」
菅原正幸（NHK)
EDD-02-2 テーマ招待講演「動画像の圧縮符号化・伝送技術とその応用について」
菊池義浩（東 芝)
EDD-02-3 テーマ招待講演「ディスプレイの時間応答と動画の高画質化」
栗田泰市郎（NHK)
EDD-02-4 スプレー法を用いた有機EL素子の作製
越後忠洋，中 茂樹，岡田裕之，女川博義（富山大)
EDD-02-5 PVCz三層型PLEDにおける電流輸送特性の電子輸送性材料依存性
芳原啓喜，堀井美徳，日野有一，北川雅彦，小林洋志（鳥取大)，草野浩幸（鳥取県産業技術センター)
EDD-02-6 分子分散型PVCz: Alq3有機EL素子におけるTPD添加効果
中嶋真滋，三上明義（金沢工大)
EDD-02-7 PVCzを用いた色素混合型PLEDにおける白色発光素子の設計と特性
有田圭一，堀井美徳，木山拓也，北川雅彦，小林洋志（鳥取大)，草野浩幸（鳥取県産業技術センター)
EDD-02-8 レーザアブレーション法によるBaAl2S4:
Eu薄膜作製
二宮英俊（明治大)
EDD-02-9 青色発光BaAl2S4: Eu薄膜の熱処理過程評価
永野真一（明治大)
EDD-02-10 レーザアブレーション法によるBaMgAl10O17:
Eu薄膜の作製
野村敬一（明治大)
EDD-02-11 高耐圧ZrxSiyN窒化物絶縁層の作製とZnS:
Mn, LiF赤色系EL素子への応用
山本和志，三上明義（金沢工大)
EDD-02-12 Modification of the EL Properties
of Zinc Sulfide Powder Phosphors by Electron
Beam Irradiation
M. Sychov (Shizuoka Univ., St. Petersburg
State Institute of Technology, Moskovsky)
V. Bakhmetiev (St. Petersburg State Institute
of Technology, Moskovsky) ，S. Mjakin (Technology
Center RADIANT) ，Y. Nakanishi (Shizuoka
Univ.) ，I. Vasil'eva (Technology Center
RADIANT) ，L. Havanova, O. Cheremisina, V.
Korsakov (St. Petersburg State Institute
of Technology, Moskovsky)
EDD-02-13 基板上へのCaS: Cu，F薄膜EL素子の形成
袴田新太郎，江原摩美，小南裕子，中西洋一郎，畑中義式（静岡大)
EDD-02-14 各種成膜法により作製したY2O3:
Mn蛍光体薄膜のPL及びEL特性
白井徹也，小林洋平，山崎正志，宮田俊弘，南 内嗣（金沢工大)
EDD-02-15 高輝度多元酸化物（Y2O3-GeO2):
Mn薄膜EL素子
小林洋平，山崎正志，宮田俊弘，南 内嗣（金沢工大)
EDD-02-16 高輝度Y-Ge-O系3元化合物蛍光体薄膜EL素子
山崎正志，小林洋平，宮田俊弘，南 内嗣（金沢工大)
EDD-02-17 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSexTe（1-x）混晶の成長
松井宏樹，中村篤志，青木 徹，畑中義式（静岡大)
EDD-02-18 エキシマレーザードーピングによるZnO
pn接合形成
清水克美，野中秀紀，青木 徹，畑中義式（静岡大)
1月24日 (木) 16：40〜18：00
〈ポスターセッション〉有機EL，無機EL: 講演番号（EDD-02-4〜EDD-02-18)
1月25日 (金) 8：30〜12：30
EDD-02-19 LCDの中間調応答特性を再現可能な高精度動画象シミュレータの開発
伊藤 剛，馬場雅裕，奥村治彦（東 芝)
EDD-02-20 2次元画像等化処理法を用いたPDP動画質の改善
大脇一泰，志賀智一，山田真規子，御子柴茂生（電通大)，大江崇之，戸田幸作，上田壽男，苅谷教治（FHP)
EDD-02-21 ホールド型ディスプレイにおける動画像特性
青野義則（日 立)
EDD-02-22 走査型黒リセット駆動による動画対応LCD
佐々木大吾，能勢 崇，鈴木成嘉，今井雅雄，葉山 浩（NEC)
EDD-02-23 TFT液晶ディスプレイのインパルス型表示方式
古橋 勉（日 立)
EDD-02-24 視線追随積分による動画質劣化評価に基づく液晶オーバードライブの必要性
関家一雄，中村 肇（日本IBM)
EDD-02-25 フィードフォアード駆動による動画対応LCDの開発
小田恭一郎（三菱電機)
EDD-02-26 カラーフィールドシーケンシャルLCD動画性能向上のための新技術
小間徳夫，内田龍男（東北大)
EDD-02-27 階調反転のないTNモードについての考察
柴崎 稔，石鍋隆宏，宮下哲哉，内田龍男（東北大)
EDD-02-28 高抵抗を有する超高純度液晶材料
西川研一，中園祐司，佐藤博茂，長部明生，木村良子，大桐小百合，澤田 温，苗村省平（メルク・ジャパン)
EDD-02-29 反射型双安定性TN液晶モードの研究
松田純哉，飯村靖文（農工大)
EDD-02-30 単偏光板式反射型TN-LCDの高性能化
福田一郎，柚木信治，井添 崇（金沢工大)
EDD-02-31 位相差板補償・単偏光板式反射型DTN-LCDの高性能化(２)
井添 崇，越田吉範，柚木信治，坂本康正，福田一郎（金沢工大)
EDD-02-32 ハイブリッド配向によるHalf-V FLCDs」
山下智生，小林駿介（山口東京理科大)
EDD-02-33 光配向によるHalf-V FLCDs
村上祐仁，小林駿介（山口東京理科大)
EDD-02-34 FM変調駆動NLCD: ナノ粒子の添加効果
吉川嘉哲，前田謙二，白石幸英，戸嶋直樹，小林駿介（山口東京理科大)
EDD-02-35 Image Analysis of Area Gray Scale
Method for Active Matrix LCDs
南野 裕（松下電器)
EDD-02-36 マイクロレンズアレイ電気泳動ディスプレイの開発
原田善弘，山田修平，服部励治（九 大)
EDD-02-37 PDPにおける裏ギャップ放電防止用孤立隔壁による高精細化の検討
森川和敏，由良信介（三菱電機)
EDD-02-38 形PDP用保護層材料（BaO）に関する研究
平川貴義，後藤貞浩，久保康一，内池平樹（佐賀大)
EDD-02-39 複合酸化物のイオン衝撃による二次電子放出特性
後藤貞浩，平川貴義，久保康一，内池平樹（佐賀大)
EDD-02-40 炭素系保護層材料からのイオン衝撃による二次電子放出特性
久保康一，平川貴義，後藤貞浩，内池平樹（佐賀大)
EDD-02-41 MgO高速成膜用誘導放電支援反応性スパッタリング法の開発
松田良信，田代 佳，小山 悠，藤山 寛（長崎大)
EDD-02-42 AC型PDPセルの書き込み放電から維持放電への移行過程の3次元シミュレーション解析
平野芳邦，村上由紀夫（NHK)
EDD-02-43 紫外領域におけるGd3＋と他の希土類イオン間のエネルギー伝達
熊谷高梓，佐藤裕二，岡本慎二，山元 明（東京工科大)，国本 崇（鳥取大)
EDD-02-44 ZnMgS: Cu, Al蛍光体のカソードルミネッセンス特性
井上 亮，小松正明，椎木正敏，今村 伸（日 立)
EDD-02-45 青色発光SrGa2S4: Ce薄膜の低速CL特性
岡本信治，田中 克（NHK)，小南裕子，中西洋一郎（静岡大)，杜
小 龍，吉川明彦（千葉大)
1月25日 (金) 13：30〜15：00
〈ポスターセッションのみ〉
テーマ一般講演，LCD，PDP，その他：講演番号（EDD-02-19〜EDD-02-45)
※プログラムは変更する場合があります。
※懇親会を1月24(木)夜に予定しております。ぜひご参加ください。（参加費\4,000程度)
お申込みは当日昼までとしておりますが，準備・予約の都合上，できるだけ3日前までに下記奥村宛ご連絡下さい。
［問合せ先］
奥村治彦（東芝 研究開発センタ 表示材料デバイスラボラトリ)
［開催地連絡先］
藤山 寛（長崎大学工学部電気電子工学科)
〔委 員 長〕石原 宏（東工大)
〔幹 事〕和田恭雄（日 立），益 一哉（東工大），高橋琢二（東 大)
日 時 3月7日 (木) 14：00〜17：00
3月8日 (金) 8：00〜15：00
場 所 NTT水上「紫明荘」（群馬県利根郡水上町湯桧曽15-1，Tel:
0278-72-3650，JR水上駅より湯桧曽行きバス10分，湯桧曽駅前下車)
協 賛 超高速デバイスと関連技術調査専門委員会（委員長
中村 徹，幹事 佐藤文彦，榎木孝知，幹事補佐
原 直紀)
議 題 テーマ「超高速デバイスとその関連技術」
3月7日 (木) 午後 「シリコン超高速デバイスとワイヤレス通信用回路技術」
EDD-02-46 135GHz-fmax 70nm SOI-CMOS技術
前田茂伸，松本拓治，前川繁登（三菱電機)
EDD-02-47 低消費電力型BiCMOS用シャロウトレンチ最適化の検討
中島博臣，川井博文，吉野千博，宮川裕之，菅谷弘幸，滝本一浩，新居英明，井納和美，勝又康弘，石内秀美（東芝セミコンダクター社)
EDD-02-48 SiGe-BiCMOSワイドダイナミックレンジスイッチ切替LNA
渡邉大祐，中谷俊文，伊藤順治，今西郁夫，西井勝則，石川 修（松下電器)
EDD-02-49 W-CDMA用2段パワーアンプHBT MMICにおける歪み相殺を用いた効率向上手法
平山知央，松野典朗，藤井正浩，樋田 光（NEC)
3月8日 (金) 午前 「光通信用超高速集積回路技術」
EDD-02-50 超高速化合物半導体デバイスとその応用
本城和彦（電通大)
EDD-02-51 InP HEMTを用いた43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
村田浩一，佐野公一，杉谷末広，榎木孝知（NTT)
EDD-02-52 GaAs 40Gb/s光通信用分布増幅器IC
小杉 真，小川康徳，角谷昌紀，関 昇平，木村 有（沖電気)
EDD-02-53 超広帯域40-Gb/s光通信用LiNbO3変調器駆動回路
重松寿生，吉田成宏，佐藤優，原 直紀，廣瀬達哉，渡邊 祐（富士通研)
EDD-02-54 SiGe-HBTを用いた40Gb/s光伝送システム用ICモジュールの開発
白水信弘，増田 徹（日 立)，大畠賢一，荒川文彦（日立デバイス)，鷲尾勝由（日 立)
EDD-02-55 超高速HBT集積回路の開発と応用
松浦裕之，小林信治，八木原剛，三浦 明（横河電機)
3月8日 (金) 午後 「光通信用超高速集積回路技術，総合討論」
EDD-02-56 40Gb/s光・電気複合モジュールの開発
野田雅樹，太田欣吾，板本裕光，岡田規男，金子進一，本島邦明（三菱電機)
EDD-02-57 超40Gb/s ICモジュール用実装プラットフォームの検討
菅原裕彦，木村俊二，村田浩一，富山裕之（NTT)，佐野栄一（北 大)
総合討論（全員)
※7日の研究会終了後，懇親会を開催いたします。奮ってご参加下さい。
※参加申し込み 榎木孝知（NTTフォトニクス研究所，e-mail:
tenoki@aecl.ntt.co.jp,Tel 046-240-2796，Fax 046-240-2872)。2月12日
(火) が参加申込一次締切です。お早目にお申込み下さい。