電子材料研究会
　
〔委 員 長〕川浪仁志（電総研)
〔幹　　事〕羽路伸夫（横浜国大），平本俊郎（東　大)
〔幹事補佐〕岡田至崇（筑波大)
　
日　時　1月15日（月）13：30〜17：00
場　所　東京工業大学　ベンチャービジネスラボラトリー（東京都目黒区大岡山2-12-1，東急大井町線または目黒線，大岡山駅下車徒歩1分)
共　催　応用物理学会　有機分子・バイオエレクトロニクス分科会
協　賛　ハイブリッドナノ構造電子材料調査専門委員会（委員長 国府田隆夫，幹事 和田芳樹，石川　謙，幹事補佐 井上貴仁)
議　題　テーマ「分子素子を意図したハイブリッドナノ構造の現状と展望」
　
EFM-01-1　湿式成膜法の現状と課題
横山士吉（通信総研)
EFM-01-2　乾式成膜法の現状と課題
多田博一（分子研)
EFM-01-3　走査型顕微鏡によるサブナノ領域構造の解明
斉木敏治（神奈川技術アカデミー・東大)
EFM-01-4　マイクロマシンSTMによる単分子測定
和田恭雄（日　立)
EFM-01-5　分子素子　現状と展望
工藤一浩（千葉大)
　
＊CS（衛星放送）での配信を検討しています。詳細については連絡先にお問い合わせ下さい。
連絡先：東京工業大学理工　石川　謙（iken@o.cc.titech.ac.jp）
電子材料研究会
　
〔委 員 長〕川浪仁志（産総研)
〔副委員長〕奥村次徳（都立大)
〔幹　　事〕岡田至崇（筑波大），羽路伸夫（横浜国大学)
　
日　時　9月21日（金）10：00〜17：00
場　所　東京大学工学部2号館セミナー室2（東京都文京区本郷7-3-1地下鉄丸の内線本郷三丁目　駅より徒歩10分，http://www.u-tokyo.ac.jp/jpn/campus/map/map01/e25-j.html)
協　賛　誘電体薄膜材料調査専門委員会（委員長 奥山雅則，幹事 山本直樹，阿部和秀，野田　実)，ULSI用金属材料技術調査専門委員会（委員長 財満鎭明，幹事 山本直樹，大場隆之，幹事補佐 酒井　朗)
議　題　テーマ「低消費電力ゲート技術/High-kプロセス」
　
EFM-01-6　ZrO2-CVDプロセスの反応機構解析
川本高司，霜垣幸浩（東　大)
EFM-01-7　ECRスパッタによるhigh-k膜形成
小野俊郎，斎藤國夫，神　好人（NTT)
EFM-01-8　ZrO2/SiO2/Si積層構造の界面熱安定性
渡部平司（NEC)
EFM-01-9　高誘電率絶縁薄膜の電子状態分析―シリコンとのエネルギーバンドアライメントと膜中および界面欠陥密度評価―
宮崎誠一（広島大)
EFM-01-10　High-kゲート絶縁膜薄膜化への指針
山口　豪，佐竹秀喜，福島　伸（東芝)
EFM-01-11　パルスレーザー蒸着法によるHfO2薄膜の作製と電気的特性
池田浩也，後藤　覚，本多一隆，坂下満男，酒井　朗，財満鎭明，安田幸夫（名　大)
EFM-01-12　High-kゲート絶縁膜用酸化物材料の研究
徳光永輔，大見俊一郎，岩井　洋（東工大)
EFM-01-13　PrOx高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価
北井　聡，寒川雅之，神田浩文，金島　岳，奥山雅則（大阪大)