電子デバイス研究会
〔委 員 長〕石原 宏（東工大)
〔幹 事〕高橋琢二（東 大)，和田恭雄（日 立)，益 一哉（東工大)
日 時 1月29日 (月) 10：10～16：30
1月30日 (火) 8：30～15：00
場 所 佐賀県勤労者福祉会館（佐賀市神野東2-6-10，JR佐賀駅北口より徒歩5分，TEL: 0952-31-8061 FAX: 0952-33-6398)
共 催 電子情報通信学会電子ディスプレイ研究委員会，映像情報メディア学会，情報ディスプレイ研究委員会，照明学会光関連材料・デバイス研究専門部会，電気学会電子デバイス技術委員会，SID日本支部
議 題 テーマ「発光型・非発光型ディスプレイ」
1月29日 (月) 10：10～12：00〈口頭発表のみ；ポスターセッションは午後にまとめて実施〉
EDD-01-1 時間分解分光法によるAC型PDP紫外線発生反応機構の研究
植村典弘（日 立)
EDD-01-2 陽光柱PDPのセル幅と放電特性
石井啓二，山本敏裕，加藤俊宏，上田智志，武井達哉，栗山孝夫，関 昌彦，高野善道，村上 宏（NHK放送技研)
EDD-01-3 AC―PDPにおける放電遅れ特性の測定
牧野充芳（NECラボラトリーズ)
EDD-01-4 二次電子の逆拡散効果を考慮したPDPの放電シミュレーション
村上由紀夫，平野芳邦，松崎秀臣，村上宏（NHK技研)
EDD-01-5 イオンプレーティング法によるMgO膜の作製
上谷一夫，床本 勲，小泉康浩，能勢功一，井原 靖（新明和工業)
梶山博司，加藤 明，鬼沢賢一，峯村哲郎（日 立)
EDD-01-6 イオンプレーティング法で作成したMgO膜の二次電子放出特性
梶山博司，加藤 明，鬼沢賢一，峯村哲郎（日 立)上谷一夫，床本 勲，小泉康浩，
能勢功一，井原 靖（新明和工業)
EDD-01-7 イオン衝撃による誘電体電極材料からの二次電子放出特性
平川貴義，内池平樹（佐賀大)，張書秀（大 電)後藤貞浩，堤圭一郎（佐賀大)
EDD-01-8 メタル隔壁を用いたAC型PDPの試作評価
秋庭 豊（日 立)
EDD-01-9 高域空間周波数成分を有する動画表示時のPDP画質劣化とその対策
大脇一泰，澤 一樹，志賀智一，御子柴茂生（電通大)
大江崇之，戸田幸作，上田壽男，苅谷教治（FHP)
EDD-01-10 カラーPDP用青色蛍光体の劣化機構について
張書秀，藤井英貴，大西孝之，國分正孝（大 電)内池平樹（佐賀大)
EDD-01-11 PDPサステイン回路におけるIGBT適用の検討
大沢通孝，小野澤誠，桑原 武，大平浩ニ（FHP)石坂勝男（日 立)
1月29日 (月) 13：00～16：30〈口頭発表とポスターセッション（ポスターセッションは午前の部と合同）〉
EDD-01-12 ZnMgS: Tb緑色EL素子の作成とマルチカラー特性の解析
三上明義，池田拓也，佐々木悟，山本和志（金沢工大)
EDD-01-13 SrS: Cu, F薄膜EL素子の発光特性
中島 徹，小南裕子，中西洋一郎，畑中義式（静岡大)
EDD-01-14 青色EL材料SrS: Ce薄膜の作製温度の検討
深田晴己，杉尾幸彦，櫻井 弾，徳田尚紀，大観光徳，田中省作，小林洋志（鳥取大)
EDD-01-15 BaTiO3厚膜絶縁層を有するSrS: Ce hybrid EL素子におけるH2S供給方法の検討
深田晴己，櫻井 弾，徳田尚紀，大観光徳，田中省作，小林洋志，高橋聖樹（鳥取大)
EDD-01-16 電子ビーム蒸着法によるBaAl2S4: Eu EL素子
荻 季彦，三浦 登，松本皓永，中野鐐太郎（明治大)
EDD-01-17 BaAl2S4: Eu EL素子の電気特性
川西光宏，三浦 登，松本皓永，中野鐐太郎（明治大)
EDD-01-18 超薄膜層を用いたアンドープ有機白色EL素子の作製と評価
石森敏文，三浦 登，松本皓永，中野鐐太郎（明治大)
EDD-01-19 有機LEDディスプレイのアクティブマトリックス駆動法
服部励治，三宅和則，小笠原亮（九 大)
EDD-01-20 希土類添加Y2O3薄膜の低速電子線励起発光
和田英樹，小南裕子，M. Kottaisamy，中西洋一郎，畑中義式（静岡大)
EDD-01-21 Preparation and characterization of Zn doped oxide phosphors at low voltage excitation
M. Kottaisamy，小南裕子，中西洋一郎，畑中義式（静岡大)
1月30日 (火) 8：30～12：30〈口頭発表のみ；ポスターセッションは午後にまとめて実施〉
EDD-01-22 23型ワイドUXGA液晶パネル技術
深海徹夫（松下電器)
EDD-01-23 位相差板補償・単偏光板式反射型MDTN-LCDの表示特性
中根範之，井添 崇，越田吉範，居川功二，福田一郎（金沢工大)
EDD-01-2 41/4波長板を用いたマルチドメインLCDの特性改善
岩本宜久（スタンレー電気技術研究所)，飯村靖文（東京農工大)
EDD-01-25 変調微小ドメインスイッチング液晶表示方式の諸特性
竹松武司，岡田裕之，女川博義（富山大)
EDD-01-26 液晶ディスプレイにおける欠陥画素の検知について(１)
保田浩二，登坂雅志，沖山俊治，上代 忠，横澤美紀（東京情報大)
EDD-01-27 ネマティック液晶デバイスの動特性と高速化
恩田真也，宮下哲哉，内田龍男（東北大)
EDD-01-28 フィールドシーケンシャル駆動用高複屈折率，低回転粘性液晶の開発
中島紳二，武田貴徳，杉山 靖，一ノ瀬秀男，沼田 宏，苗村省平（メルクジャパン)
真辺篤孝（Merck KGaA)
EDD-01-29 マトリックス駆動TN液晶デバイスの応答速度のオーバードライブ駆動による改善
中村 肇，関家一雄（日本IBM)
EDD-01-30 スピノーダル分解を利用した反射型LCD用前方散乱フィルムの開発
武本博之（東北大)，西田善行，高橋啓司（ダイセル化学工業)
川上 徹，宮下哲哉，内田龍男（東北大)
EDD-01-31 位相差フィルムと偏光子の広視野角化と広波長帯域化
石鍋隆宏，宮下哲哉，内田龍男（東北大)ED
D-01-32 ゼオノア製光学フィルムの開発動向
幸重秀則（日本ゼオン)
EDD-01-33 Phenomenological Theory of C1-C2 States Transition in an SS-FLC Cell
Jun XU, Shunsuke KOBAYASHI (Liquid Crystal Inst., Sci. Univ. of Tokyo in Yamaguchi)
EDD-01-34 プラスティック基板を用いた強誘電性液晶素子の印刷形成
佐藤弘人，藤掛英夫，菊池 宏，飯野芳己，河北真宏，土屋 譲（NHK技研)
EDD-01-35 液晶シャッター方式フィールド順次カラーCRTの高画質化に関する検討
平 和樹，最首達夫，津田亮二，松田直寿，鈴木公平，西村孝司（東 芝)
EDD-01-36 M46広角フラットCDT用ミニネック電子銃
木宮淳一，大久保俊二，長谷川隆弘，織田裕之，星野史孝（東 芝)
EDD-01-37 冷陰極蛍光ランプの光束維持率の改善（保護膜の効果)
真部直喜，高橋雄次（ハリソン東芝ライティング)
EDD-01-38 Y2O3保護膜付き長寿命冷陰極蛍光ランプの開発
松尾和尋（松下電子)
EDD-01-39 Xe放電蛍光ランプの動向
大塚礼治（化成オプトニクス)
EDD-01-40 内部電極と外部電極を併用した可変色蛍光ランプの試作
藤野達士（明石工業高専)
EDD-01-41 液晶プロジェクタ用小型高輝度光源システム
小倉敏明（松下電子)
EDD-01-42 高反射率高コントラスト表示可能な電気泳動ディスプレイ
服部励治，原田善弘，平田啓介（九 大)
EDD-01-43 非発光で紙の白さとカラーを実現する可動フィルムディスプレイ（AFD)
菅原 淳，森 健一，雨宮 功，小林 等，村上照夫（東 芝)
1月30日 (火) 13：30～15：00〈ポスターセッションのみ〉
＊プログラムは変更する場合があります。最新のプログラムは電子情報通信学会 電子ディスプレイ研究委員会のホームページ (http://www.ieice.or.jp/es/eid/jpn/welcome.html）にてご確認下さい。
＊懇親会を1月29日（月）夜に予定しております。ぜひご参加ください。（参加費\4,000程度) お申込みは当日昼までとしておりますが，準備・予約の都合上，できるだけ3日前までに下記高木宛ご連絡下さい。
［問合せ先］高木将実ハリソン東芝ライティング(株)開発・技術企画部 技術企画担当
〒794-8510 愛媛県今治市旭町5-2-1TEL: 0898-23-9808，FAX: 0898-31-5704，E-mail:
masami.takagi@htl.co.jp
［開催地連絡先］内池平樹 先生佐賀大学理工学部電気電子工学科
〒840-8502 佐賀県佐賀市本庄町1丁目TEL: 0952-28-8640，FAX: 0952-28-8651，E-mail: uchiike@cc.saga-u.ac.jp
電子デバイス研究会
〔委 員 長〕石原 宏（東工大)
〔幹 事〕高橋琢二（東 大)，和田恭雄（日 立)，益 一哉（東工大)
日 時 3月8日（木）14：00～17：00
3月9日（金） 8：30～15：00
場 所 NTT水上「紫明荘」（群馬県利根郡水上町湯桧曽15-1 電話：0278-72-3650 JR水上駅より湯桧曽行きバス10分，湯桧曽駅前下車)
協 賛 超高速デバイスとシステム応用調査専門委員会（委員長 中村 徹，幹事 中前正彦，山崎王義，幹事補佐 渡邊 祐)
議 題 テーマ「超高速デバイスとそのシステム応用」
3月8日（木）午後 シリコン超高速デバイス
EDD-01-44 高周波・高速用途向け自己整合構造SiGe HBT/CMOS技術
大植栄司（日 立)
島本裕巳（日立デバイスエンジニアリング)
小田克矢，速水礼子，清田幸弘（日 立)
田邊正倫（日立デバイスエンジニアリング)
近藤将夫（日 立)，橋本 尚，原田 卓，鷲尾勝由（日 立)
EDD-01-45 SiGe BiCMOS技術における熱処理トレードオフおよびボロンスパイク効果低減の検討
橋本隆介，佐藤文彦，青山 亨，鈴木久満，吉田 宏，
藤井宏基，山崎 亨（NECエレクトロンデバイス)
EDD-01-46 高抵抗基板上に形成された高性能アナログ，デジタル混載デバイス
大黒達也，石川哲也，木村智久，佐俣秀一，
川崎敦子，永野剛之，吉富 崇，豊島義明（東 芝)
EDD-01-47 部分空乏化SOIデバイス
山口泰男，一法師隆志，前川繁登（三菱電機)
3月9日（金）午前 化合物半導体超高速・高周波デバイスEDD-01-48 最近の化合物半導体基板技術動向
中井龍資（住友電工)
EDD-01-49 MOVPE法によるマイクロ波デバイス用Ⅲ―Ⅴ化合物半導体エピタキシャルウエハの大口径・量産技術
乙木洋平（日立電線)
EDD-01-50 フィールドプレートFET技術
葛原正明（NEC)
EDD-01-51 共鳴トンネルダイオード/HEMT集積回路技術
松崎秀昭，大坂次郎，伊藤敏洋，
佐野公一，村田浩一，明吉智幸（NTT)
EDD-01-52 量子化機能素子の現状と将来
粟野祐二（富士通研究所)
3月9日（金）午後 超高速デバイス回路・実装技術EDD-01-53 InP HEMTを用いた広帯域プリアンプ
重松寿夫（富士通研究所)
EDD-01-54 40G-IC実装技術
南 政明（京セラ)
EDD-01-55 40Gbit/s光通信用Digital OEIC
北林博人，村田浩一，清水直文，渡辺則之，宮本裕（NTT)
＊ 8日の研究会終了後，懇親会を開催いたします。奮ってご参加下さい。
〔委 員 長〕石原 宏（東工大)
〔幹 事〕高橋琢二（東 大），和田恭雄（日 立），益 一哉（東工大)
日 時 3月8日（木）10：00～16：55
場 所 機械振興会館地下3階2号室（港区芝公園3-5-8)
共 催 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM)
議 題 「MOSデバイス技術，SOI基板/デバイス技術」
EDD-01-56 サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
外園 明，大内和也，宮野清孝，水島一郎，
綱島祥隆，豊島義明（東 芝)
EDD-01-57 スプリットゲート型フラッシュメモリのカップリング係数測定における浮遊ゲート・制御ゲート間酸化膜の影響
藤原英明，廣島 崇，有本 護，海田孝行，本間運也，
周藤祥司，黒岡和巳，平瀬征基，豆野和延（三洋電機)
EDD-01-58 ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
東郷光洋，渡部宏治，山本豊二，五十嵐信行，
辰巳 徹，小野春彦，最上 徹（NEC)
EDD-01-59 極狭チャネルMOSFETにおける量子力学的狭チャネル効果
間島秀明，平本俊郎（東 大)
EDD-01-60 ［招待講演］ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性
高木信一，杉山直治，水野智久，手塚 勉，
畠山哲夫，黒部 篤（東 芝)
EDD-01-61 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのION向上効果に与える影響
黄 俐 昭，武村 久，竹内 潔，最上 徹（NEC)
EDD-01-62 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑構造
沼田敏典，野口充宏，大脇幸人，高木信一（東 芝)
EDD-01-63 Niシリサイド・ショットキー・ソース/ドレインSOI-MOSFETの特性
中川 豪，鹿野隆頼，浅野種正（九工大)
EDD-01-64 ソース/ドレインの全層シリサイド化によるFD-SOI
MOSFETの高性能化
一森高示，平下紀夫（沖電気)
EDD-01-65 貼り合わせSOI基板に作製したC帯SOIパワーMOSFET
松本 聡，平岡靖史，酒井達郎（NTT)
EDD-01-66 BOX貫通コンタクトによる高耐圧SOI
ICの基板電位固定
小林研也，伊藤将之，高杉一成，戸枝雅寛（NEC)
EDD-01-67 SOI-MOSFET/ダイオード複合デバイスにおける光検出特性のゲート電位依存性
瓜生優子，浅野種正（九工大)
〔委 員 長〕石原 宏（東工大)
〔幹 事〕高橋琢二（東 大），益 一哉（東工大），和田恭雄（日 立)
〔委 員 長〕赤木泰文（東工大)
〔幹 事〕小倉常雄（東 芝），千葉 明（東京理科大)
〔幹事補佐〕竹下隆晴（名工大），藤田英明（岡山大)
日 時 10月25日（木）13：00～16：55
10月26日（金) 9：00～16：30
協 賛 パワーデバイス高性能化・高機能化技術調査専門委員会（委員長
関 康和，幹事 原田眞名，四戸 孝，幹事補佐
岩室憲幸)
IEEE Industry Applications Society
Tokyo Chapter
IEEE Power Electronics Society Tokyo
Chapter
IEEE Industrial Electronics Society
Tokyo Chapter
議 題 テーマ「パワーデバイス・ICとそのインテリジェント化技術／半導体電力変換一般」
| 10月25日（木）13：00～16：55 |
EDD-01-68
SPC-01-73 |
「招待講演」燃料電池からみたパワーデバイス |
| |
谷内利明（NTT） |
EDD-01-69
SPC-01-74 |
SITインバータとイミタンス回路による熱プラズマの高効率生成 |
| |
上杉喜彦，廣橋裕樹，近藤健二，高村秀一（名 大） |
EDD-01-70
SPC-01-75 |
SIT高周波インバータの基本波3倍高周波運転とその特性 |
| |
上杉喜彦，今井貴博，細江秀和，高村秀一（名 大） |
EDD-01-71
SPC-01-76 |
Super Junction構造ダイオードのリバースリカバリ特性シミュレーション |
| |
小野昇太郎，川口雄介，中川明夫（東 芝） |
EDD-01-72
SPC-01-77 |
エコノダイオードモジュールの開発 |
| |
兼田博利，坂口浩士，松島生一，高橋良和，宮下秀仁，松下宏明（富士電機） |
EDD-01-73
SPC-01-78 |
微細低注入構造ダイオードの電気的特性 |
| |
内藤達也，根本道生，西浦 彰（富士電機総研），大月正人，桐沢光明，関 康和（富士電機） |
EDD-01-74
SPC-01-79 |
TC（Triple Conduction）構造による700V横型MOSFETの高効率化 |
| |
宇野利彦，小倉弘義，沢田和幸（松下電器） |
EDD-01-75
SPC-01-80 |
宇宙用MOSFETのシングルイベントバーンアウト（SEB）の3次元シミュレーション |
| |
田上三郎，小林孝，桐畑文明（富士電機)，染河秀治，久保山智（NASDA) |
| 10月26日（金）9：00～12：15 |
EDD-01-76
SPC-01-81 |
BiCD技術におけるアダプティブリサーフの役割と微細化へ向けた課題 |
| |
中川明夫，川口雄介，中村和敏，唐牛久美，渡辺君則，久保田敏郎（東 芝） |
EDD-01-77
SPC-01-82 |
先端ロジックプロセスに搭載する20V系MOSトランジスタ |
| |
前川尚之，武市英司，林 洋一（沖電気） |
EDD-01-78
SPC-01-83 |
BiC-DMOSを多機能化する60V系Nch/Pchフィールドトランジスタ |
| |
寺島知秀，山本文寿，畑迫健一，日根史郎（三菱電機） |
EDD-01-79
SPC-01-84 |
自己整合オフセットゲートを有する5.8GHz帯SOIパワーMOSFET |
| |
松本 聡，平岡靖史，酒井達郎（NTT) |
EDD-01-80
SPC-01-85 |
新規高耐圧ダイオードを有するハーフブリッジドライバーIC |
| |
渡部毅代登，荒木 亨，福永匡則，清水和宏，秋山 肇，守谷純一（三菱電機） |
EDD-01-81
SPC-01-86 |
PT-IGBTとNPT-IGBTの短絡破壊メカニズムの考察-I |
| |
高田育紀（三菱電機） |
EDD-01-82
SPC-01-87 |
ハイブリッド自動車用600V/200A低損失高電流密度トレンチIGBT |
| |
濱田公守（トヨタ自動車) |
| 10月26日（金）13：45～16：30 |
EDD-01-83
SPC-01-88 |
低オン電圧600V CSTBT |
| |
高橋英樹，青野眞司，吉田英二，守谷純一，日根史郎（三菱電機） |
EDD-01-84
SPC-01-89 |
高破壊耐量1200V-ワイドセルピッチNPT-IGBT（CSTBT） |
| |
中村秀城，中村勝光，楠 茂，高橋秀樹，友松佳史，原田眞名（三菱電機） |
EDD-01-85
SPC-01-90 |
短絡耐量をもつ新しいトレンチHiGT（High-Conductivity
IGBT） |
| |
小山和博，河野恭彦，坂野順一，宇留野純平，石坂勝男，川瀬大助，森 睦宏（日 立） |
EDD-01-86
SPC-01-91 |
高破壊耐量5世代平面IGBT |
| |
山下潤一，吉田千賀子，藤井千絵，高梨 健，守谷純一（三菱電機） |
EDD-01-87
SPC-01-92 |
4.5kV平型IGBTのRBSOAに関する研究 |
| |
吉川 功，藤井岳志，古閑丈晴，西浦 彰（富士電機総研），高橋良和（富士電機） |
EDD-01-88
SPC-01-93 |
高熱伝導伝熱膨張CuCu2O基板のパワーモジュールへの適用 |
| |
齋藤隆一，近藤保夫，岡本和孝，小池義彦，鈴村隆志，阿部輝宜（日 立) |
〔委 員 長〕石原 宏（東工大)
〔幹 事〕高橋琢二（東 大），和田恭雄（日 立），益 一哉（東工大)
日 時 11月15日 (木) 10：20～17：00
11月16日 (金) 9：00～15：45
場 所 佐賀大学理工学部DC棟2階多目的セミナー室（佐賀市本庄町1番地，JR佐賀駅バスセンターより佐賀市営バス（4番乗り場）11番系統相応線・12番系統，東与賀線・63番系統佐賀大学線乗車，佐大前下車（所要時間約15分，190円）。JR
佐賀駅よりタクシー乗車（所要時間約10分，約1000円）。佐賀空港よりタクシー乗車（所要時間約25分，約3000円)
TEL 0952-28-8658 相川正義，28-8654 田中高行)
共 催 電子情報通信学会マイクロ波研究会，電子情報通信学会電子デバイス研究会，IEEE
MTT-S Japan Chapter
協 賛 ミリ波技術とそのインテグレーションと展開調査専門委員会（委員長
相川正義，幹事 荒木純道，豊田一彦，幹事補佐
徳田博邦)
議 題 テーマ「ミリ波/一般」
11月15日 (木) 10：20～17：00
EDD-01-89 電気学会調査専門委員会「ミリ波技術とそのインテグレイションと展開」の活動概要
相川正義（佐賀大），荒木純道（東工大)，大久保尚史（富士通)，徳田博邦（東 芝)，豊田一彦（NTT)
EDD-01-90 ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
松井敏明，篠原啓介，東脇正高，村田正望，安田浩朗，清川雅博，李 可人（CRL)
EDD-01-91 非通信ミリ波システムの技術動向
大久保尚史（富士通)
EDD-01-92 ミリ波平面アンテナの設計と無線システムへの実装
安藤 真，広川二郎（東工大)
EDD-01-93 ミリ波電波吸収体の技術動向
橋本 修（青学大)
EDD-01-94 ミリ波低損失誘電体材料とその測定法の技術動向
小林禧夫，清水隆志（埼玉大)
EDD-01-95 ミリ波デバイスと回路の技術動向
大畑惠一，丸橋建一（NEC)
EDD-01-96 ミリ波フィルタの最新技術動向
平塚敏朗，園田富哉，坂本孝一，石川容平（村田製作所)
EDD-01-97 ミリ波用パッケージ技術の動向と取組み
吉田克亨，白崎隆行，松園清吾，牧原千尋（京セラ)
EDD-01-98 大出力ミリ波の応用研究
前原 直，森本 巌，鄭 暁東，渡辺聡彦，山本昌則，坂本慶司，志甫 諒（原 研)
EDD-01-99 ポスト壁導波路を用いたミリ波帯スロットアレーと給電用4分岐バトラーマトリックスの一層基板による構成
山本伸一，広川二郎，安藤 真（東工大)
EDD-01-100 60GHz帯IEEE1394対応500Mbpsトランシーバ
丸橋建一，伊東正治，生稲一洋，橋口毅哉，松田淳一，土門 渉（NEC)，高橋信明，石原正，泉 勲夫（NECエンジニアリング），大畑惠一（NEC)
EDD-01-101 ハーモニックミクサを用いたミリ波パルス送信系の検討
川上憲司，池松 寛，松尾浩一，礒田陽次（三菱電機)
11月16日 (金) 9：00～15：45
EDD-01-102 リング共振器によるKu帯Push-Push発振器
肖 海，田中高行，相川正義（佐賀大)
EDD-01-103 ピーク電力注入によるマイクロ波増幅器の高効率化
中山正敏，堀口健一，酒井雄二，池田幸夫，石田修己（三菱電機)
EDD-01-104 自励発振ミキサを持つ能動アンテナアレー
藤原城二，佐薙 稔，野木茂次（岡山大)
EDD-01-105 給電系に両平面回路を用いた平面アレイアンテナの構成法
江頭広三，西山英輔，相川正義（佐賀大)
EDD-01-106 エスパアンテナのブラインド適応制御
大平 孝（ATR)
EDD-01-107 エスパアンテナのバタクタRF非線形性混変調歪の測定：逆直列バラクタダイオード対による低歪化
韓 青，稲垣恵三，大平 孝（ATR)，田島英幸，宮口直樹，赤池正己（東京理科大)
EDD-01-108 平行分枝線付変形伝送線路型アンテナの特性
中村道明，山崎正明，築地武彦（福岡大)
EDD-01-109 NRDガイドを用いた76GHz帯p-i-nダイオード回路素子
黒木太司，中村昭造（呉高専)，福地稔栄（古河電工），米山 務（東北工大)
EDD-01-110 60GHz帯小型・低損失NRDガイドリング共振器
黒木太司（呉高専），米山 務（東北工大)
EDD-01-111 分布定数インピーダンス変成器を原型回路とするSIR帯域通過フィルタの回路合成法
内田浩光，大和田哲，古川幸伸，宮崎守泰（三菱電機)
EDD-01-112 準分布定数型TFMS線路を用いた3次元MMIC超小型ハイブリッド回路
宮吉紀寿，川幡健児（佐賀大），西川健二郎（NTT)，相川正義（佐賀大)
EDD-01-113 コプレーナ導波路プローブ対を用いた進行波型電力分割/合成器
大森亮平，佐薙 稔，野木茂次（岡山大)
EDD-01-114 マイクロストリップ線回路の電磁界分布測定とFDTD法との比較・検討
澤田亮一，穴田哲夫，平岡隆春，大出英長，許
瑞 邦（神奈川大)
＊11月15日 (木) 研究会終了後，懇親会を実施します。奮ってご参加下さい。
〔委 員 長〕石原 宏（東工大)
〔幹 事〕高橋啄二（東 大），和田恭雄（日 立），益 一哉（東工大)
日 時 11月20日 (火) 9：30～17：50
共 催 映像情報メディア学会 映像表現研究委員会，同 情報ディスプレイ研究委員会，画像電子学会 企画委員会，電子情報通信学会 電子ディスプレイ研究委員会，日本バーチャルリアリティ学会
協 賛 高臨場感ディスプレイ調査専門委員会（委員長
谷 千束，幹事 今井雅雄，和田恭雄)
議 題 テーマ「高臨場感ディスプレイ」
9：30～11：30 招待講演
EDD-01-115 特別講演 複合現実感（MR）プロジェクトでの開発成果紹介 シースルーHMDによるMRの世界
山崎章市（エム・アール・システム研究所)
EDD-01-116 ウエアラブルコンピュータの知的消防衣への挑戦 HMDの応用システム化技術
志水英二（大阪市大)
EDD-01-117 新しい立体表示LCD―時分割方向制御バックライト式の3D液晶ディスプレイ―
豊岡健太郎，宮下哲哉，内田龍男（東北大)
EDD-01-118 A Mobile Fragrance Diffusion
System over telephone and TV NetworksMessager
Jacques，
Courcelle Labrousse Sylvie（France Tel ecom)
■ポスター論文ショートプレゼン（11：40-12：00)
■ポスター／機器展示／昼食（12：00-13：40)
13：40～15：40 招待講演
EDD-01-119 仮想住環境シミュレーションシステムの開発と展開
小野浩史，橋口裕文（大成建設)
EDD-01-120 没入型訓練システム 発電設備内作業へのVR応用
南雲俊喜（東 電)
EDD-01-121 デジタルエンジニアリング活用による開発プロセス改革
石原 明（トヨタ自動車)
EDD-01-122 600万画素超高精細プロジェクションシステム
小宮康宏（オリンパス光学工業)
15：50～17：50
招待講演
EDD-01-123 VizWear: コンピュータビジョンとウェアラブルディスプレイによる人間中心インタラクション
蔵田武志，大隈隆史，興梠正克，加藤丈和，坂上勝彦（産総研)
EDD-01-124 ミニスクリーンと大画面：ディジタルアートが変えるリアリティの感覚
草原真知子（神戸大)
EDD-01-125 仮想化現実技術による自由視点映像スタジアムの構築
大田友一，北原 格，斉藤英雄，秋道慎志，尾野 徹，金出武雄（筑波大)
EDD-01-126 Embodied Spaces: 身体性を考慮した臨場感コミュニケーションシステムの開発
葛岡英明（筑波大)
一般応募ポスター発表
EDD-01-127 新たな立体知覚現象に基づくDFD立体ディスプレイの最近の進展
陶山史朗，高田英明（NTT)
EDD-01-128 超多眼立体ディスプレイ視点追従化のための瞳孔領域位置計測システムの開発
稲垣隆二（千葉大），今井 浩（通信・放送機構)，本田捷夫（千葉大)
EDD-01-129 PDPを用いた立体ハイジョン表示装置
浜田宏ー，金澤 勝，栗田泰市郎（NHK)
EDD-01-130 視覚限界に迫る超高精細映像を提示するQHD（Quadruple
HD: 3840＊2048画素）プロジェクタ
田中健二，鈴木保成，荒川佳樹，佐藤正人（通総研，日本ビクター)
＊展示協賛出品（予定を含む)
(有)ヒットデザイン：「超広画角HMD光学系」，(株)コモック：「立体視フィルタ」，(株)応用計測研究所：「HDTV倍速変換装置」，(株)計測技術研究所，日本バイナリー(株)，(株)スリーディー，スリーディ。コム(株)
＊懇親会（18：10頃から同館内レストランで開催予定)
＊問合わせ先；代表幹事 浜田長晴（倉敷芸科大)
〔委 員 長〕石原 宏（東工大）
〔幹 事〕高橋琢二（東 大），和田恭雄（日 立），益 一哉（東工大）
日 時 12月13日（木）13：00～17：45
14日（金） 9：00～16：00
場 所 東北大学電気通信研究所２号館４階大会議室（仙台市青葉区片平2-1-1、仙台駅より徒歩約２０分。または駅前西口バスプール１１番・動物公園系由に乗車（仙台市営バス）。片平小学校前の次、東北大正門前下車。徒歩約７分。または駅前西口バスプール１２番・動物公園系由長町ターミナル行に乗
車（宮城交通バス）。片平小学校前の次、東北大正門前下車。徒歩約７分。地下鉄：
五橋下車。北２番の出入り口より地上へ、徒歩約８分。）
共 催 電子情報通信学会 電子デバイス研究会
議 題 テーマ「電子管と真空マイクロエレクトロニクス」
12月13日（木）13:00～17:45
EDD‐01‐131 ジャイロトロンを光源とする生体用サブミリ波カテーテル照射装置の開発
立川敏明，土井昭孚，寺中正人,高島 均（香川医科大）
出原敏孝，小川 勇（福井大），西澤誠治（日本分光）
EDD‐01‐132 サブミリ波ジャイロトロンの開発と応用
出原敏孝，小川 勇，Rostyslav Pavlichenko，光藤誠太郎（福井大）
EDD‐01‐133 170 GHzジャイロトロンの長パルス試験
林 健一（東 芝）
坂本慶司，高橋幸司，春日井 敦，今井 剛（原 研）
假家 強，満仲義加（東 芝）
EDD‐01‐134 大型ヘリカル装置におけるECHのシステムと実験の現状
下妻 隆，伊藤 哲，久保 伸，出射 浩，吉村泰夫，野竹孝志，渡利徹夫
水野嘉識，小林策治，多喜田泰幸，佐藤元泰，大久保邦三（核融合研）
W. Kasparek（Stuttgart Univ）
EDD‐01‐135 二重リッジ付き平行二線導波路を用いた自己共鳴ペニオトロンの開発
佐藤信之，蒲原理水，寒河江克巳，横尾邦義（東北大）
EDD‐01‐136 XバンドPPMパルスクライストロンの開発
浦方弘人，菅野正人，三宅節雄（東 芝）
松本修二，大家圭司，徳本修一，両角祐一，陳 栄浩（高エネ研）
EDD‐01‐137 Ka帯250Ｗpeaｋヘリックス進行波管の開発
町田哲夫，金本 隆，福井 元（ＮＥＣ）
EDD‐01‐138 半導体テイップ微小電子源からのレーザー支援電界放出
石塚 浩，河村良行（福岡工大），横尾邦義，三村秀典（東北大）
嶋脇秀隆（八戸工大），細野彰彦（三菱電機）
EDD‐01‐139 128×96画素冷陰極HARP撮像板の開発
難波正和，長田勝玄，宮川和典，瀧口吉郎
岡崎三郎，岸 敏郎，江上典文（ＮＨＫ）
田中 満，伊藤茂生（双葉電子）
12月14日（金）9:00～12:15
EDD‐01‐140 希土類付活SrGa2S4蛍光体薄膜の発光特性
中島宏佳，中村高遠（静岡大）
澤田和明（豊橋技科大）
小南裕子，中西洋一郎，畑中義式（静岡大）
EDD‐01‐141 走査型アトムプローブによる電子源材料の原子レベルでの解析
西川 治，柳生貴也，村上 智，渡邉將史，谷口昌宏（金沢工大）
EDD‐01‐142 ErO/W(100)及びLuO/W(100)陰極の電界放射特性
斎藤 泰，矢田慶治（東 研），安達 洋（室蘭工大）
EDD‐01‐143 有機材料のスタンプ成形による高密度電子源ティップアレイの作製
椿 弘一，馬場昭好，浅野種正（九工大）
EDD‐01‐144 エピタキシャルAl2O3/Si構造を用いたMOS型電子源の検討
澤田和明，星 智弘，古字芳明，金 璋 燮，M.Shahjahan
高橋成也，石田 誠（豊橋技科大）
EDD‐01‐145 ＭＩＭ-ＦＥＤの寿命特性
鈴木睦三，佐川雅一，楠 敏明，辻 和隆（日 立）
12月14日（金）13:30～16:00
EDD‐01‐146 ＢＮナノ構造からのフィールドエミッション特性
山本知秀，木村千春，杉野 隆（阪 大）
EDD‐01‐147 高周波マグネトロンスパッタリングによる遷移金属窒化物・炭化物薄膜の作製
と冷陰極材料としての評価
後藤康仁，紀和伸政，中原宏勲，安孫子正義，辻 博司，石川順三（京 大）
EDD‐01‐148 カーボンナノチューブ電界放出電子源のエミッションサイトコントロール
趙 維 江，澤田明宏，高井幹夫（阪 大）
EDD‐01‐149 ビーム支援プロセスによる電界放出電子源の製作と特性
Werapong Jarupoonphol，高井幹夫（阪 大）
EDD‐01‐150 結晶性ダイヤモンドからの電界電子放射
三村秀典，元 光，池田 優（東北大）
小野修一，新井 学（新日本無線）
寒河江克巳，横尾邦義（東北大）
※１３日の研究会終了後、懇親会を予定しております。
（注）この研究会は他学会との共催の関連で電気学会誌12月号に間に合いませんでしたが，本プログ
ラムのとおり開催いたしますのでＨＰにて会告いたします。