電子材料研究会

〔委 員 長〕河東田隆（高知工科大)

〔幹　　事〕平本俊郎（東　大），和田敏美（電総研）

日　時　平成12年4月7日 (金) 10：00〜17：00

場　所　電気学会第1〜4会議室（前掲参照，会場案内図は，次のURLをご参照下さい，http://www.iee.or.jp/honbu/gakkai renraku.html)

　　　　〔企画担当〕新宮原正三（広島大)，霜垣幸浩（東　大)，上野和良（NEC)

協　賛　多層配線材料技術調査専門委員会（委員長 安田幸夫，幹事 財満鎭明，山本直樹)

議　題　テーマ「ULSI用電極・配線材料技術」

EFM-00-1　EBSD法によるCu膜の微細構造評価

岡林秀和（NEC）

EFM-00-2　Cu配線のEM耐性―Extrusionによるショート不良−

安田純一（日　立）

EFM-00-3　Cu配線のエレクトロマイグレーション

矢内賢一（富士通）

EFM-00-4　WSix-CVDプロセスの3次元装置シミュレーション

菅原活郎（日　大）

EFM-00-5　W-CVDプロセスの反応機構と微細形状シミュレーション

秋山康伸，今石宣之（九州大）

EFM-00-6　0.56　μmピッチCu配線の0.15　μmCMOS適用

井口　学（NEC）

EFM-00-7　パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TiN

田上政由（NEC）

EFM-00-8　有機SOGを用いた0.5　μmピッチCuデュアルダマシン配線

福田琢也（日　立）

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