〔委 員 長〕榊 裕之（東 大）
〔幹 事〕高橋琢二（東 大），和田恭雄（日 立）
日 時 平成12年1月27日（木）8：50〜17：00
28日（金）8：30〜16：40
場 所 富山国際会議場−大手町フォーラムー（富山市大手町1-2，JR富山駅より徒歩10分，詳細は次のURLをご参照下さい，http://www.ticc.co.jp/kokusai/kokusai
s.html，Tel 076-424-5931）
共 催 電子情報通信学会 電子ディスプレイ研究委員会
照明学会 光関連材料デバイス研究専門部会
映像情報メディア学会 情報ディスプレイ研究委員会
SID日本支部
議 題 テーマ「発光型ディスプレイデバイス，非発光型ディスプレイデバイス，およびディスプレイデバイス一般（材料・応用技術等も含む）」
1月27日（木）8：50〜12：20
EDD-00-1 マトリクス有機電界発光素子の回路シミュレーション
角本英俊，中 茂樹，岡田裕之，女川博義（富山大），福本 滋，山本 肇，若林守光（北陸電工）
EDD-00-2 反転構造薄膜EL素子の光学シミュレーション解析（II）―絶縁層材料依存性―
三上明義，山村尚希（金沢工大）
EDD-00-3 薄膜EL素子におけるバッファ層の効果
荻 季彦，三浦 登，松本皓永，中野鐐太郎（明治大）
EDD-00-4 2価Euイオンを添加した BaAl2S4青色発光薄膜EL素子
川西光宏，三浦 登，松本皓永，中野鐐太郎（明治大）
EDD-00-5 Cs系合金を陰極として用いた有機電界発光素子
山本一郎，中 茂樹，岡田裕之，女川博義（富山大）
EDD-00-6 ディップコート法で作製した多色発光Ga2O3蛍光体薄膜のEL特性
中谷敏邦，白井徹也，宮田俊弘，南 内嗣（金沢工大）
EDD-00-7 セラミックス絶縁層形薄膜EL素子の高周波駆動時における動作特性
宮田俊弘，中谷敏邦，三上昭義，南 内嗣（金沢工大）
EDD-00-8 セラミックス絶縁層形酸化物蛍光体薄膜EL素子の経時特性
中谷敏邦，鈴木信吾，宮田俊弘，南 内嗣（金沢工大）
EDD-00-9 材料交互供給型ホットウォール蒸着法によるSrS:
Cu,Ag薄膜EL素子の作製と評価
藤原敏彦，大澤 龍，深田晴己，大観光徳，田中省作，小林洋志（鳥取大）
EDD-00-10 GaN系マイクロUV-LEDアレイ励起型蛍光ディスプレイにおける発光特性のモンテカルロシミュレーション
佐藤祐一，佐藤 進（秋田大）
EDD-00-11 エキシマレーザードーピングを用いたZnO発光ダイオードの作製
楠原豊典，青木 徹，畑中義式（静岡大）David C. Look（Wright State Univ.）
EDD-00-12 Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
三宅亜紀，小南裕子，立岡浩一，桑原 弘，中西洋一郎，畑中義式（静岡大）
1月27日（木）13：30〜17：00
EDD-00-13 ガス放電を利用した配列型6mm画素ピッチディスプレイ素子
浦壁隆浩，橋本 隆，岩田明彦，牧田 勇，有本浩延，伊藤 篤（三菱電機）
EDD-00-14 閉じ込め効果を考慮したPDPセル内の共鳴線発生量及び利用率
吉岡俊博，沖川昌史，土岐 薫（日本電気）
EDD-00-15 面放電型AC-PDPのおける輝度と動作マージンを考慮したセル設計技術
原田茂樹，岩田明彦（三菱電機）
EDD-00-16 面放電型AC-PDPの放電発光断面解析
萩原 啓，後沢瑞芳，H.S. Jeong，高野善道（NHK技研）
EDD-00-17 PDPの新構造と新駆動法（ワッフルリブ
& CLEAR方式）
谷口均志，小牧俊裕，雨宮公男，中村英人，徳永 勉，鈴木雅博，三枝信彦（パイオニア）
EDD-00-18 粒子法をもちいたAC-PDPのアドレス放電の解析
池田裕一，鈴木敬三，福本英士（日 立），柴田将之，石垣正治（富士通日立プラズマディスプレイ）
EDD-00-19 水系プロセスによるAC-PDP用誘電体保護膜の形成
中村智彰，坂本 渉，余語利信（名 大），堀田 裕，林真紀子，左合澄人（ノリタケカンパニーリミテド），平野眞一（名 大）
EDD-00-20 ac形PDP保護層材料の二次電子放出特性＜BR＞
平川貴義，一ノ瀬隆，内池平樹，木村准治，井手義章（佐賀大）
EDD-00-21 プラズマディスプレイ用蛍光体の焼成劣化
椎木正敏（日 立），岡崎暢一郎，岩永昭一，古川 正（富士通日立プラズマディスプレイ）鈴木輝喜（日 立）
EDD-00-22 BAM系青蛍光体の構造劣化
只木進ニ，石本 学，岩瀬信博，福田晋也（富士通日立プラズマディスプレイ）
EDD-00-23 PDP用青色蛍光体のプロセス劣化
後沢瑞芳（NHK）
EDD-00-24 プラズマディスプレイ用蛍光体の輝度飽和特性
岡崎暢一郎（富士通日立プラズマディスプレイ），椎木正敏，鈴木輝喜（日 立）
1月28日（金）8：30〜11：50
EDD-00-25 46cm（19″）100°偏向ピュアフラットカラーディスプレイ管用偏向ヨーク
宮崎俊一，田上悦司，七条敏彦（松下電子）
EDD-00-26 46cm細ネック短全長CDT用NEXT電子銃の開発
中村智樹，野口一成，内田 剛，白井正司（日 立）
EDD-00-27 電界制御型フォトカソードディスプレイの提案
坂本康正，田中啓照（金沢工大）
EDD-00-28 ZnS蛍光体における低速電子線の侵入深さ
小南裕子，中西洋一郎，畑中義式（静岡大）
EDD-00-29 Effect
of sintering on the morphology and luminescent properties of Y2O3: Eu red
phosphor obtained by homogeneous precipitation techniques
M. Kottaisamy（静岡大），M. Mohan Rao，D. Jeyakumar （Central
Electrochemical Research Inst.），Y. Nakanishi and Y. Hatanaka（静岡大）
EDD-00-30 気相合成法ZnS:
Ag, Al蛍光体における深欠陥密度の低減化
小松正明，椎木正敏，今村 伸（日 立）
EDD-00-31 投射型ブラウン管における二層蛍光膜構造の検討
今村 伸，椎木正敏，小松正明，渡辺尚光（日 立），小関悦弘（日立デバイス）
EDD-00-32 LCDバックライト用13.56MHz電界結合ランプの開発
橋本晃治，馬場裕介，志賀智一，御子柴茂生（電通大），高久重剛（日立エレクトロニックデバイシズ），西山清一（日 立）
EDD-00-33 エミッタ搭載型高効率冷陰極蛍光ランプの開発
山下博文，山崎治夫，寺田年宏（松下電子），辻川信人（ウエスト電気），広橋正樹（松下技研）
EDD-00-34 大型液晶モニター用冷陰極蛍光灯の開発
辻川信人，古屋哲夫，山田顕二，出島 尚，木原慎二（ウエスト電気）
EDD-00-35 車載用バックライトユニットの低温時輝度補償
松永 清（東芝エー・ブイ・イー），我妻祐二（東芝ライテック）
1月28日（金）12：50〜16：40
EDD-00-36 重水素化核磁気共鳴によるモノドメイン配向過程の研究
高城 主（大阪産業大），宮本哲雄（大阪大），杉村明彦，C.J. Dunn（大阪産業大）B.A.
Timimi，G.R. Luckhurst （Univ. of Southhampton）
EDD-00-37 空間電荷分極が液晶セル内の電場分布に及ぼす影響の考察
沢田 温，佐藤博茂（メルク・ジャパン），真辺篤孝（Merck KgaA），苗村省平（メルク・ジャパン）
EDD-00-38 EBU規格対応カラーフィルタ
田口貴雄，永田絵理子，杉浦武雄（凸版印刷）
EDD-00-39 幾何学的形状異方性基板を用いた液晶の分子配向
石山 誠，佐藤松雄，関 秀廣（八戸工大）
EDD-00-40 1/4波長板補償・単偏光板式反射型TN-LCDの表示特性の最適化
中根範之，狭間 誠，坂本康正，福田一郎（金沢工大），内田龍男（東北大）
EDD-00-41 1/4波長板補償・単偏光板式反射型DTN-LCDおよびFDTN-LCDの表示特性
狭間 誠，越田吉範，中根範之，小谷勇慶雄，福田一郎（金沢工大）
EDD-00-42 二種の電極構造を用いた微小屈折表示方式に関する検討
石丸雅司，岡田裕之，女川博義（富山大）
EDD-00-43 インプレーン電極を用いた新表示方式の検討
大浦久範，岡田裕之，女川博義（富山大）
EDD-00-44 ポリマー安定化強誘電性液晶デバイスの視野角特性
米内 淳，藤掛英夫，土屋 譲，菊池 宏，河北真宏，飯野芳己，佐藤弘人，滝沢國治（NHK技研）
EDD-00-45 強誘電体を用いた記録保持型LCD
小野塚豊，秋山政彦，日置 毅，上田知正，鈴木幸治（東 芝）
EDD-00-46 PS-FLCDを用いた画素順次フルカラー表示
高橋泰樹，古江広和（工学院大），小林駿介（山口東京理科大）
EDD-00-47液晶ディスプレイへのインタレース駆動の適用
寺沢 毅（三菱電機）
EDD-00-48 ホールド型ディスプレイの動画質評価方法
山本恒典，津村 誠（日 立）
EDD-00-49 主観評価に基づく反射型LCDの散乱特性の検討
中井 豊，大竹利也（東 芝）
＊懇親会を1月27日（木）夜に予定しております。ぜひご参加ください。（参加費\4,000程度）
お申込みは当日昼までとしておりますが，準備・予約の都合上，3日前までに下記・佐々木宛にご連絡下さい。
問合せ先 佐々木進（日立製作所ディスプレイグループ）〒185-8601 国分寺市東恋ヶ窪1-280，Tel. 042-323-1111 内2843，Fax 042-327-7763，E-mail:
sasaki-s@crl.hitachi.co.jp
現地連絡先 ※研究会当日は富山国際会議場 女川博義先生（富山大学），Tel 076-445-6729，Fax 076-445-6732，E-mail: onnagawa@eng.toyama-u.ac.jp
〔委 員 長〕榊 裕之（東 大）
〔幹 事〕高橋琢二（東 大），和田恭雄（日 立）
日 時 平成12年3月
9日（木）14：00〜17：00
3月10日（金） 8：30〜15：00
場 所 NTT伊豆長岡保養所「スイートヴィラ踊り子」（静岡県田方郡伊豆長岡町天野字出口57-1，三島駅から伊豆箱根鉄道に乗り換え伊豆長岡駅下車，伊豆長岡温泉場，または，沼津行バスにて小学校前下車（約7分），Tel
0559-48-1717）
〔申込み等の連絡先：石橋忠夫（NTT先端技術総合研究所，E-mail: ishi@aecl.ntt.co.jp,
Tel 0462-40-2888，Fax 0462-40-4306）〕
議 題 テーマ「超高速デバイスとそのプロセス応用」
3月9日（木）午後 テーマ「パワー・高周波デバイス」
EDD-00-50 0.1m高速CMOS技術
尾内享裕，大西和博，土屋龍太（日 立）
EDD-00-51 高周波用CMOSデバイス
大黒達也（東 芝）
EDD-00-52 高周波SOIパワーMOSFET
松本 聡，平岡靖史，酒井達郎（NTT通信エネルギー研）
EDD-00-53 携帯電話用HBTパワーアンプ
小原史朗（富士通研）
3月10日（金）午前 テーマ「ミリ波，高速デバイス」
EDD-00-54 超高速SiGe-HBT技術と光伝送用ICへの応用
増田 徹，白水信弘，大植栄司，小田克矢，速水礼子，田辺正倫，島本裕巳，荒川文彦，大畠賢一，近藤将夫，鷲尾勝由（日 立）
EDD-00-55 光通信用InP-HEMT-IC
榎木孝知（NTTフォトニクス研）
EDD-00-56 準ミリ波帯送信用電力増幅器MMIC
佐藤富雄，市川真一郎，長谷川裕一，黒田 滋，深谷 潤（富士通カンタムデバイス）
EDD-00-57 76GHz帯MMIC
水谷 浩，江田 剛，舟橋政弘，志田尚基（NEC）
EDD-00-58 76GHz車載レーダ用CPW-MMIC
藤代博記，小川康徳，新井ゆかり，濱田智次，関 昇平，大島知之，岡島武彦，角谷昌紀（沖電気）
3月10日（金）午後 テーマ「ワイドギャップデバイス」
EDD-00-59 リセスゲートを用いたサファイア基板上AlGaN/GaN
HEMTの諸特性
江川孝志，石川博康，趙 廣元，神保孝志，梅野正義（名工大）
EDD-00-60 GaNバイポーラトランジスタ
吉田清輝（古河電工）
EDD-00-61 SiC基板上AlGaN/GaN
HFET
正戸宏幸，池田義人，松野年伸，井上 薫，西井勝則（松下電子工業）
＊9日の研究会終了後，懇親会を開催いたします。奮ってご参加下さい。
〔委 員 長〕榊 裕之（東 大)
〔幹 事〕高橋琢二（東 大），和田恭雄（日 立）
日 時 平成12年3月13日
(月) 10：20〜16：20
場 所 機械振興会館地下3階1号室（東京都港区芝公園3-5-8，地下鉄日比谷線神谷町下車，徒歩7分，TEL:
03-3434-8211)
共 催 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM)
議 題 テーマ「MOSデバイス，SOI基板/デバイス技術」
EDD-00-62 ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
松本拓治，前田茂伸，平野有一，山口泰男，前川繁登，犬石昌秀，西村 正（三菱電機）
EDD-00-63 SOIウェーハの表面欠陥評価及びそれらのデバイス特性への影響
成岡英樹，服部信美，岩松俊明，一法師隆，山本秀和，益子洋治（三菱電機），須藤 充，中井哲弥（三菱マテリアルシリコン）
EDD-00-64 ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
山田 敬，新居英明，井納和美，篠 智彰，川中 繁，南 良博（東芝セミコンダクター），布施常明（東 芝），吉見 信，勝又康弘（東芝セミコンダクター），渡辺重佳（東 芝），松永準一，石内秀美（東芝セミコンダクター）
EDD-00-65 Variable Threshold CMOS（VTCMOS）における基板バイアス定数と基板電位の最適条件とそのスケーリング
小宇羅寛，高宮 真，犬飼貴士，平本俊郎（東 大）
EDD-00-66 〔招待講演〕SOI基板材料の品質評価と技術課題
吉見 信（東 芝），前川繁登（三菱電機），土屋敏章（島根大），森田瑞穂（大阪大），出水清史（信越半導体），大見忠弘（東北大）
EDD-00-67 ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション
黄 俐昭，最上 徹（NEC）
EDD-00-68 金属インプリント法によるpoly-Si結晶粒位置制御とTFTへの応用
牧平憲治，浅野種正（九工大）
EDD-00-69 電気的ストレスによるn-およびp-チャネルPoly-Si TFTの劣化メカニズム
鄭 然植，永島 大，桑野 博（慶応大），納田朋幸，浜田弘喜（三洋電機）
EDD-00-70 高耐圧横型デバイスの多層金属配線の交差による耐圧変化
澄田仁志，平林温夫（富士電機）
EDD-00-71 20Vおよび8V系超低オン抵抗横型トレンチMOSFET
川口雄介，佐野剛史（東芝セミコンダクター），中川明夫（東 芝）
〔委 員 長〕石原 宏（東工大)
〔幹 事〕高橋琢二（東 大），和田恭雄（日 立）
日 時 11月6日（月）13：00〜17：45
11月7日（火）
9：30〜12：15
場 所 福岡県立飯塚研究開発センター
共 催 電子情報通信学会 電子デバイス研究会，マイクロ波研究会
協 賛 ミリ波技術とそのインテグレーションと展開調査専門委員会（委員長 相川正義)
議 題 テーマ「ミリ波デバイス・回路・システム応用一般」
11月6日(月)
EDD-00-72 〔招待講演〕単一走行キャリアフォトダイオードとInP
HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
村田浩一，北林博人，清水直文（NTTフォトニクス研)
宮本 裕（NTT未来ねっと研)
木村俊二，古田知史，渡邊則之，佐野栄一（NTTフォトニクス研）
EDD-00-73 HEMTにおける光応答特性
綱島 聡，木村俊二，楢原浩一，末光哲也，佐野栄一（NTTフォトニクス研）
EDD-00-74 電界効果型プラズマ共鳴トランジスタのテラヘルツ電磁波発振/検出特性解析尾辻泰一，中江 伸，北村 元（九工大）
EDD-00-75 導波管接続型ミリ波パッケージ
北澤謙治，志野直行，郡山慎一（京セラ総研）
EDD-00-76 NRDガイドを用いた60GHz帯高確度近距離計測パルスレーダ
黒木太司，山口倫史（呉高専），佐藤浩哉（シャープ），米山 務（東北工大）
EDD-00-77 NRD自動車レーダの広角マルチビーム化とレーダ性能
石井 徹，高桑郁夫，中西 基，田中裕明，瀧本幸男（村田製作所）
EDD-00-78 加入者系無線アクセスシステム用26GHz帯PTMP無線装置
熊谷 昇，鈴木康一，酒井静麿，小原則和（東 芝）
EDD-00-79 無線アクセス用高出力・高利得PA
MMICモジュールの開発
佐藤富雄，市川真一郎，長谷川裕一，黒田 滋，深谷 潤（富士通カンタムデバイス）
EDD-00-80 3dBハイブリッドカプラ移相器を用いた2素子アンテナアレーの指向性制御
岡本洋右，藤森和博，野木茂次（岡山大）
EDD-00-81 9.4GHz帯-GWクラスFELシステムにおける高周波特性
前原 直（原 研），森本 巌（東工大），志甫 諒（原 研）
11月7日(月)
EDD-00-82 ミリ波同軸励振空洞共振器法による誘電体平板の複素誘電率の温度依存性の測定
清水隆志，小林禧夫（埼玉大）
EDD-00-83 セラミック共振器を用いた広帯域NRDガイドミリ波帯域フィルタとその応用
黒木太司，新家 暁（呉高専），佐藤浩哉（シャープ），米山務（東北工大）
EDD-00-84 平面型TEモード誘電体共振器を用いた導波管入出力38GHz帯フィルタ
佐々木豊，平塚敏朗，園田富哉，坂本孝一，石川容平（村田製作所）
EDD-00-85 静磁波共振器を用いたBianisotropic
Particleの実現 線状表面金属を付加した矩形静磁波共振器の共振特性
真田篤志，A.K. Saha，古賀 亘，粟井郁雄（山口大）
EDD-00-86 フーリエ級数解析に基づく高出力増幅器の1/2倍波発振条件式の導出と1/4波長先端開放スタブによる発振抑圧
内田浩光，伊藤康之，宮崎守泰（三菱電機）
EDD-00-87 Improved
broadband operation of rat-race hybrid and balanced active doubler: Analysis
and Demonstration
ベリンダ・ピェルナス，西川健二郎，林 等，中川匡夫，荒木克彦（NTT未来ねっと研）
＊ 11月6日(月)研究会終了後，福岡県立飯塚研究開発センターで懇親会を実施します。奮ってご参加下さい。ご出席の方は11月1日(水)までにe-mailにて下記にご連絡下さい。アドレス：toyoda@ieee.org
〔委 員 長〕石原 宏（東工大)
〔幹 事〕高橋琢二（東 大），和田恭雄（日 立），益 一哉（東工大）
日 時 11月16日
(木) 9：25〜17：45
11月17日
(金) 9：00〜17：50
場 所 東京工業大学講堂（口頭発表），百年記念館3Fフェライト会議室（ポスター，展示)（東京都目黒区大岡山2-12-1，東急大井町線または目蒲線，大岡山駅下車徒歩1分)
共 催 映像情報メディア学会，画像電子学会，電子情報通信学会，日本バーチャルリアリティー学会，光産業技術振興協会，日本工業技術振興協会
議 題 テーマ「高臨場感表示に関する諸技術・応用および機器展示」
11月16日（9：30〜12：25）：招待講演―広画角/システム/VR（講堂）
EDD-00-88 高臨場感入出力技術のロードマップ（光産業技術振興協会)
上平員丈（NTT）
EDD-00-89 HMDの最新の動向と展望
研野孝吉（オリンパス光学）
EDD-00-90 アミューズメントパークにおけるシミュレーションライドの適用例と今後の展望
武田晴夫（日 立）
EDD-00-91 都市設計シミュレーションにおける高臨場感表示
澤田一哉（松下電工）
11月16日（13：30〜15：30）：招待講演―大画面/コンテンツ/応用（講堂）
EDD-00-92 フィルム映像とデジタル映像の未来〜対立から共存へ〜
荒木泰晴（日本シネセル）
EDD-00-93 デジタルアーカイブと高臨場感表示
西岡貞一（凸版印刷）
EDD-00-94 インタラクティブな仮想現実空間を利用した「学習」システム
野須 潔（NTT）
11月16日（15：45〜17：45）：招待講演―視覚/感性（講堂）
EDD-00-95 マルチスペクトルによる高臨場感再現システム（ナチュラルビジョン)
山口雅浩（東工大）
EDD-00-96 VR技術による3次元音響再生システム
小宮山摂（NHK）
EDD-00-97 等身大仮想環境におけるマルチモーダルインタラクション
佐藤 誠（東工大）
11月17日（9：00〜9：40）：特別講演（講堂）
EDD-00-98 高臨場感システム調査中間報告（情報家電委員会)
小山田健二（三洋電機）
11月17日（9：40〜11：50）：一般講演（講堂）
EDD-00-99 立体視フィルタ
江川 寛（コモック）
EDD-00-100 投影光学系扇形配列による立体表示装置の開発
永井大輔（千葉大）
EDD-00-101 球状スクリーンSPHEREを用いた流通施設設計開発システム
黒川久幸（東京商船大）
EDD-00-102 MUPAL-αのセカンドコックピット評価試験
篠田直正（川崎重工）
EDD-00-103 複数のPCを用いた多様な立体映像空間の構築
橋本直己（東工大）
EDD-00-104 高臨場感映像伝送システムの開発
田中健二（通信総研）
11月17日（11：50〜12：50）：ポスター発表（百年記念館）
EDD-00-105 立体ディスプレイ
高橋 通，河野通之（有沢製作所）
EDD-00-106 リアクロスレンチキュラー方式の眼鏡なし3Dディスプレイ
北沢利弘（キヤノン）
EDD-00-107 組み合わせ接眼レンズ系によるカラーホログラフィー立体テレビの視野拡大法高野邦彦，金子傑周，南 典宏，佐藤甲癸（湘南工科大）
11月17日（13：50〜15：50）：招待講演―立体視（講堂）
EDD-00-108 イメージスプリッタ方式メガネなし3Dディスプレイの開発経緯と応用
濱岸五郎（三洋電機）
EDD-00-109 インテグラル立体テレビ
岡野文男（NHK）
EDD-00-110 動画ホログラフィー技術の現状と課題
佐藤甲癸（湘南工科大）
11月17日（16：05〜17：45）：パネルディスカッション（講堂)
高臨場感ディスプレイの夢と課題
廣瀬通孝（東 大），小山田健二（三洋電機），佐藤 誠（東工大)
西岡貞一（凸版印刷），宮沢 篤（ナムコ），湯山一郎（NHK）
※機器展示（11月17日11：50〜16：00）（百年記念館)
HMD，立体ディスプレイ，高臨場感システム，触覚ディスプレイ他
問い合わせ先：日本大学工学部情報工学科 越智 宏
(TEL：0249-56-8821，FAX：0249-56-8863，E-mail:
ochi@cs.ce.nihon-u.ac.jp)
〔委 員 長〕石原 宏（東工大)
〔幹 事〕高橋琢二（東 大），和田恭雄（日 立），益 一哉（東工大）
〔委 員 長〕赤木泰文（東工大)
〔幹 事〕小倉常雄（東 芝），千葉 明（東京理科大)
〔幹事補佐〕竹下隆晴（名工大），藤田英明（岡山大）
日 時 11月16日
(木) 9：00〜17：20
11月17日
(金) 9：00〜15：35
場 所 島根大学総合理工学部3号館（松江市西川津町1060，交通：出雲空港および米子空港からJR松江駅まで1時間，JR松江駅から会場までバス（市営バス，一畑バス，北循環線）「大学前」で下車（所用時間約20分），会場地図:
http://www.ecs.shimane-u.ac.jp/transportation/transportation.html)
協 賛 パワーデバイス高性能化・高機能化技術調査専門委員会
(委員長
関 康和，幹事 原田眞名，四戸 孝，幹事補佐 岩室憲幸)
IEEE
Industry Applications Society Tokyo Chapter
IEEE
Power Electronics Society Tokyo Chapter
IEEE
Industrial Electronics Society Tokyo Chapter
宿 泊 以下のホームページを参考にしてください。
http://www.green21.com/syukuhaku/simane/matsue-city.htm
現地連絡先 島根大学総合理工学部 電子制御システム工学科
舩曳繁之（0852-32-8906），田中俊彦（0852-32-8912)
議 題 テーマ「パワーデバイス・ICとそのインテリジェント化技術/半導体電力変換一般」
11月16日 (木)
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EDD-00-111 SPC-00-90 |
(待講演)21世紀のパワーエレクトロニクス技術―SiCデバイスと電力変換技術 |
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赤木泰文（東工大） |
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EDD-00-112 SPC-00-91 |
系統連系単相インバータにおける直流側フィルター容量低減に関する検討 |
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工藤文彦，鶴間義徳，成 慶眠，佐藤之彦（東工大） |
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EDD-00-113 SPC-00-92 |
低温プラズマ発生装置用薄型MOSFETモジュールを用いた2MHz6kVA電圧形インバータ |
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藤田英明（岡山大），赤木泰文（東工大），篠原信一（オリジン電気） |
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EDD-00-114 SPC-00-93 |
半導体スイッチ1個で構成する三相力率改善回路 |
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小高章弘，五十嵐征輝（富士電機総研） |
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EDD-00-115 SPC-00-94 |
完全空乏化型と部分空乏化型SOIパワーMOSFETの高周波特性 |
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松本 聡，平岡靖史，酒井達郎（NTT） |
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EDD-00-116 SPC-00-95 |
薄型SOIパワーMOSFETの高周波特性における寄生バイポーラ効果の影響 |
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平岡靖史，松本 聡，酒井達郎（NTT） |
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EDD-00-117 SPC-00-96 |
低オン電圧を実現した600VトレンチゲートNPT-IGBT |
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田中雅浩，寺前 智，高橋 泰，武田 徹，山口正一，小倉常雄，角田哲次郎，中尾悟至（東 芝） |
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EDD-00-118 SPC-00-97 |
IGBTモジュールの低電流ターンオンの解析 |
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百田聖自，大月正人，関 康和（富士電機），田久保紘，石井憲一（富士日立パワーセミコンダクタ） |
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パネル討論「パワーデバイス開発の閉塞感について（仮題）」 |
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11月17日 (金) |
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EDD-00-119 SPC-00-98 |
(招待講演)電子デバイス用ダイヤモンド薄膜―次世代パワーデバイス用材料の可能性を探る― |
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大串秀世（電総研） |
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EDD-00-120 SPC-00-99 |
パッシベーション膜としてのSiNの電気的特性 |
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成田政隆（富士電機） |
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EDD-00-121 SPC-00-100 |
SiCデバイスの高耐圧化技術 |
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小野瀬秀勝（日 立） |
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EDD-00-122 SPC-00-101 |
ポリシリコンCMOSを用いたアナログ回路，ドライバ回路の検証 |
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末代知子，小島 勉，中川明夫（東 芝） |
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EDD-00-123 SPC-00-102 |
0.5 μmBiCMOS&DMOSプロセスにおける5V-90V系素子形成技術 |
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寺島知秀，山本文寿，畑迫健一（三菱電機） |
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EDD-00-124 SPC-00-103 |
2.3kVac
100MHzマルチチャネル モノリシック アイソレーターIC |
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根本峰弘（日 立） |
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EDD-00-125 SPC-00-104 |
低オン抵抗，高破壊耐量を有する低圧MOSFETの開発 |
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楢崎敦司（菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング），丸山錠冶（極陽セミコンダクタ） 家弓俊樹（三菱電機），浜地浩明（福菱セミコンエンジニアリング），守谷純一（三菱電機） |
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EDD-00-126 SPC-00-105 |
IGBTに二次破壊現象は存在するか？ |
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高田育紀（三菱電機） |
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EDD-00-127 SPC-00-106 |
4.5kV-2000AパワーパックIGBT |
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藤井岳志，吉川 功，古閑丈晴，西浦 彰（富士電機総研），柿木秀昭（富士日立パワーセミコンダクタ），一條正美（富士電機） |
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EDD-00-128 SPC-00-107 |
ソフトリカバリーダイオードの設計コンセプト |
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根本道生，西浦 彰，内藤達也（富士電機総研），桐沢光明，大月正人，関 康和（富士電機） |
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EDD-00-129 SPC-00-108 |
高いリカバリー耐量を持つ6.5kV高速ソフトリカバリーダイオード（U-SFD） |
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小林秀男，安田保道，森 睦宏（日 立） |